| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI4833ADY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
||
|
SI4833ADY-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式） 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：72 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 15V 功率 - 最大值：2.75W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 薄膜电容器B32529C823J289 电池组KR1800SCEF8 线路滤波器FN258HV-30-33 薄膜电容器B32529C105J189 D形，CentroM7QXK-2405K 嵌入式 - FPGA3PE600-FG256I PMIC - PFFT821AA-RT 光学 - LED，FA10614_LM1-M 按钮开关A22-SB-11M 固定式SRR1210-101M |
|||||